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化学气相沉积的计算模型
阿曼辛格
![Computational Modelling of Chemical Vapour Deposition 化学气相沉积的计算模型](https://assets.skyfilabs.com/images/blog/computational-modelling-of-chemical-vapour-deposition.webp)
这种利用真空沉积材料以产生高性能、高质量的固体材料的方法被称为化学气相沉积。CVD主要应用于半导体制造中涂覆/生产薄膜。CVD已经成为合成任何产品最通用和最重要的方法。
在CVD中,大部分水被用作基材,暴露在一个或多个挥发性压力下,然后发生反应并沉积在所需产品的表面。CVD广泛用于微细加工,沉积各种材料,如Si, C, W等,这些材料都是良导体。
CVD的主要步骤是研究要沉积的材料的性质以及要沉积的衬底的性质。
为了了解基板上的气相沉积,Ansys有一个单独的软件,称为计算流体动力学软件Ansys /FLUENT。
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Ansys FLUENT所涉及的主要步骤有:
- 系统论
- 几何
- 网
- 物理设置
- 数值解
- 验证和确认
系统论:
- 在这一步中,需要分析CVD在应用中会遇到的参数、条件等。
- 通过这一步,我们可以知道会出现什么问题,什么是它工作的最佳条件。
几何:
- 在这种情况下,需要绘制出基材和层的几何图形或图表。通过检查几何图形中的大小和曲线。
- 这个几何图形可以在Ansys中绘制或使用CAD等,这允许绘制我们想要的几何图形。
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网格:
- 在网格划分中,我们将主域划分为许多子域,通过这些子域我们可以很容易地读取结果,如果出现任何问题,它将很容易地发现和解决问题。
- 网格质量的好坏决定了仿真的结果,即网格质量差会导致仿真结果差。
物理设置:
- 这一步在Ansys求解器中进行。
- 在此步骤中,将输入边界条件、涉及到的材料、材料性质、涉及到的物理和化学等输入值。
- 所有的数字都在模拟器中提供。
数值解:
- 在边界条件和其他参数设置好之后,根据实验中变化的参数对这些参数进行检查是很重要的。
- 在CVD中,变化最大的参数是沉积材料在基底上的温度和移动速度。
- 通过调整这两个参数,可以获得最佳的结果。
- 如果没有达到预期的结果,我们可以改变已经设定的条件。
验证与验证:
- 在通过模拟器得到结果后,阅读和理解这些结果是重要的。
- Ansys给出了最好的显示结果是吸引人的和不同的颜色。
- 通过更改任意一个参数并查看由该参数获得的结果,可以在许多情况下验证所获得的结果。
- 该参数可以在任何时间点变化,CVD中的主要参数将是衬底材料和沉积材料。
通过这个模拟产生的结果是:
- 基质中的相发生了变化
- 温度曲线
- 沉积的厚度剖面
- 缺陷的一代
- 安全因素
- 沉积的持久性
- 产品在应用下的性能。
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化学气相沉积的计算模型
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•发表:2020-08-23•最后更新:2021-05-14